- पत्थर और रेत का उपयोग करके CPU बनाने की विधि पर एक लेख
- पत्थर से 98% सघन silicon dioxide प्राप्त करने की प्रक्रिया, फिर उसे 99.9% शुद्ध silicon dioxide में परिशोधित करना, और आगे 99.9999999% शुद्ध polycrystalline silicon metal में परिशोधित करना
- polycrystalline silicon ingot को 1698 °K तक गर्म किया जाता है, फिर एक छोटे seed single crystal को पिघले silicon में डुबोकर धीरे-धीरे बाहर निकालते हुए ठंडा किया जाता है, जिससे शुद्ध silicon का single crystal बनता है
- silicon को पतली स्लाइसों में काटकर silicon wafer बनाया जाता है, और इसे boron, phosphorus या अन्य dopants से dope किया जा सकता है
- wafer पर photoresist लगाया जाता है, और इच्छित circuit pattern उकेरे हुए chrome-etched photolithography quartz mask का उपयोग करके laser beam से wafer पर circuit pattern प्रक्षेपित किया जाता है
- photoresist को develop किया जाता है और wafer के exposed हिस्सों को acid से etch किया जाता है
- wafer में इच्छित गुण बनाने के लिए homo-epitaxy, hetero-epitaxy, pseudo-epitaxy, diffusion doping, copper interconnect layers, chemical mechanical polishing, photoresist application, acid etching, photomask exposure जैसे कई चरण बार-बार दोहराए जाते हैं
- तैयार silicon wafer को काटकर unpackaged silicon die बनाया जाता है, और इसे chip package के pins से जोड़ने के लिए bond wires या solder balls का उपयोग किया जाता है
- लेख स्वीकार करता है कि आधुनिक CPU निर्माण प्रक्रिया लेख में बताए गए विवरण से अधिक जटिल और कम स्पष्ट है, और इसमें कई सामान्य तकनीकें तथा महत्वपूर्ण चरण शामिल हैं जिनका उल्लेख नहीं किया गया है
- लेख सुझाव देता है कि अत्याधुनिक nanometer-स्तर की विशेषताओं तक hobbyist के लिए पहुँचना कठिन हो सकता है, लेकिन micron-स्तर पर amateur chip fabrication काफ़ी हद तक व्यावहारिक है
- लेख चेतावनी देता है कि उपयोग किए जाने वाले रसायनों के ख़तरों के कारण घर पर integrated circuits बनाने की कोशिश नहीं करनी चाहिए
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